Al:ZnO ince filmlerin optik ve elektriksel özelliklerine gama ışınlarının etkileri

Basit Öğe Kaydı
dc.authoridTR112497en_US
dc.contributor.authorTombak, Ahmet
dc.date.accessioned2015-05-11T13:00:58Z
dc.date.available2015-05-11T13:00:58Z
dc.date.issued2015
dc.departmentDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractYarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır. Bu çalışmada çeşitli altlıklar üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve değişik oranlarda Al katkılanmış ZnO ince filmlerin gama ışımasına maruz bırakılmasından sonra bazı parametrelerindeki değişim araştırıldı. Elde edilen yapının elektrik ve optik özellikleri incelendi. İnce filmlerin elektriksel iletkenlikleri Hall etkisi ölçüm sistemiyle oda sıcaklığında ölçüldü. Bazı optik parametreler UV-Vis spektrometrik yöntemle tayin edildi. Optik parametrelerle ilgili deneysel bulgular teorik hesaplamalarla karşılaştırıldı. Alınan bu ölçümler Al:ZnO yapıların gama ışımasına maruz bırakılmasının ardından tekrar yapıldı ve değişimler gözlendi. İnce filmlerin yapı analizi X ışınları kırınımı ile tayin edildi.en_US
dc.description.abstractAs semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological. In this study, forming ZnO thin films on various substrates and changes some parameters after gamma ray exposure of ranging Al doped ZnO thin films were investigated. Optic and electrical properties of as-grown films were measured. Electrical conductivity was measured by Hall Effect measurement system at room temperature. Some optic parameters were determined by UV-Vis spectrometric method. Theoretical calculations on optical parameters were compared with the ones that were obtained by experimental values. These measurements were made after gamma ray exposure of the thin films and some changes were observed. Structural analysis of the the thin films was made with respect to X ray diffraction data.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11468/1089
dc.identifier.urihttp://kutup.dicle.edu.tr/ekitap/0078399.pdf
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/tezSorguSonucYeni.jsp
dc.institutionauthorTombak, Ahmet
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessen_US
dc.subjectGama radyasyonuen_US
dc.subjectGamma radiationen_US
dc.subjectÇinko oksiten_US
dc.subjectZinc oxideen_US
dc.subjectİletkenliken_US
dc.subjectConductivityen_US
dc.titleAl:ZnO ince filmlerin optik ve elektriksel özelliklerine gama ışınlarının etkilerien_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
AlZnO ince filmlerin optik ve elektriksel özelliklerine gama ışınlarının etkileri.pdf
Boyut:
2.94 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tezler