Al:ZnO ince filmlerin optik ve elektriksel özelliklerine gama ışınlarının etkileri
Yükleniyor...
Tarih
2015
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/closedAccess
Özet
Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır. Bu çalışmada çeşitli altlıklar üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve değişik oranlarda Al katkılanmış ZnO ince filmlerin gama ışımasına maruz bırakılmasından sonra bazı parametrelerindeki değişim araştırıldı. Elde edilen yapının elektrik ve optik özellikleri incelendi. İnce filmlerin elektriksel iletkenlikleri Hall etkisi ölçüm sistemiyle oda sıcaklığında ölçüldü. Bazı optik parametreler UV-Vis spektrometrik yöntemle tayin edildi. Optik parametrelerle ilgili deneysel bulgular teorik hesaplamalarla karşılaştırıldı. Alınan bu ölçümler Al:ZnO yapıların gama ışımasına maruz bırakılmasının ardından tekrar yapıldı ve değişimler gözlendi. İnce filmlerin yapı analizi X ışınları kırınımı ile tayin edildi.
As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological. In this study, forming ZnO thin films on various substrates and changes some parameters after gamma ray exposure of ranging Al doped ZnO thin films were investigated. Optic and electrical properties of as-grown films were measured. Electrical conductivity was measured by Hall Effect measurement system at room temperature. Some optic parameters were determined by UV-Vis spectrometric method. Theoretical calculations on optical parameters were compared with the ones that were obtained by experimental values. These measurements were made after gamma ray exposure of the thin films and some changes were observed. Structural analysis of the the thin films was made with respect to X ray diffraction data.
As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological. In this study, forming ZnO thin films on various substrates and changes some parameters after gamma ray exposure of ranging Al doped ZnO thin films were investigated. Optic and electrical properties of as-grown films were measured. Electrical conductivity was measured by Hall Effect measurement system at room temperature. Some optic parameters were determined by UV-Vis spectrometric method. Theoretical calculations on optical parameters were compared with the ones that were obtained by experimental values. These measurements were made after gamma ray exposure of the thin films and some changes were observed. Structural analysis of the the thin films was made with respect to X ray diffraction data.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Gama radyasyonu, Gamma radiation, Çinko oksit, Zinc oxide, İletkenlik, Conductivity
