Elektrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/n-Si MIS contact

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorOcak, Yusuf Selim
dc.contributor.authorObaid, Masoud Giyathaddin
dc.date.accessioned2016-03-28T06:43:03Z
dc.date.available2016-03-28T06:43:03Z
dc.date.issued2016
dc.date.submitted2015-06-16
dc.departmentDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractMetal yalıtkan yarıiletken (MIS) kontaklar birçok yarıiletken aygıtların en önemli bileşenlerinden biridir. Günümüzde klasik SiO2 kapı oksiti yerine yüksek dielektrik sabite sahip yalıtkan tabakaların kullanılması çokça çalışılmaktadır. Zirkonya geniş band aralığı (5-8 eV) ve yüksek dielektrik sabiti (? ? 25) ile bu amaç için en önemli adaylardan biridir. Bu çalışmada, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısı ZrO2 ince filminin n-Si alttaş üzerinde büyütülmesi ve ince film üzerine Au buharlaştırılması ile oluşturulmuştur. Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının elektrik ve fotoelektrik karakterizasyonu oda sıcaklığında karanlıkta ve farklı ışık şiddetinde alınan akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Ayrıca, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının kapasite-gerilim (C-V) karakteristiği incelenmiş ve her iki yöntem ile elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmıştır.
dc.description.abstractMetal insulator semiconductor (MIS) contacts are key components for many semiconductor devices. The usage of high dielectric constant (high-?) insulator layers instead of conventional SiO2 gate oxide is currently widely studied. Zirconia with very large band gap (5-8 eV) and high dielectric constant (? ? 25) is one of the most important candidates for this purpose. In this study, Au/ZrO2/n-Si MIS structure was fabricated by deposition of ZrO2 thin film onto n-Si substrate and evaporating the Au metal onto thin film. Electrical and photoelectrical characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were analyzed using its current-voltage (I-V) measurements at room temperature in dark and under a solar simulator for various illumination intensities. In addition, capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were studied and the barrier heights obtained from both measurements were compared.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11468/1770
dc.institutionauthorObaid, Masoud Giyathaddin
dc.language.isoenen_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectYoğun madde fiziğien_US
dc.subjectCondensed matter physicsen_US
dc.subjectMetal yalıtkan yarıiletken (MIS)en_US
dc.subjectMetal insulator semiconductor (MIS)en_US
dc.titleElektrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/n-Si MIS contacten_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
Elektrical and photoelectrical characterization of AuZrO2n-Si MIS contact.pdf
Boyut:
1.71 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tezler