Elektrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/n-Si MIS contact
Yükleniyor...
Tarih
2016
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Metal yalıtkan yarıiletken (MIS) kontaklar birçok yarıiletken aygıtların en önemli bileşenlerinden biridir. Günümüzde klasik SiO2 kapı oksiti yerine yüksek dielektrik sabite sahip yalıtkan tabakaların kullanılması çokça çalışılmaktadır. Zirkonya geniş band aralığı (5-8 eV) ve yüksek dielektrik sabiti (? ? 25) ile bu amaç için en önemli adaylardan biridir. Bu çalışmada, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısı ZrO2 ince filminin n-Si alttaş üzerinde büyütülmesi ve ince film üzerine Au buharlaştırılması ile oluşturulmuştur. Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının elektrik ve fotoelektrik karakterizasyonu oda sıcaklığında karanlıkta ve farklı ışık şiddetinde alınan akım-gerilim (I-V) ölçümleri ile belirlenmiştir. Ayrıca, Au/ZrO2/n-Si MIS yapısının kapasite-gerilim (C-V) karakteristiği incelenmiş ve her iki yöntem ile elde edilen engel yüksekliği değerleri karşılaştırılmıştır.
Metal insulator semiconductor (MIS) contacts are key components for many semiconductor devices. The usage of high dielectric constant (high-?) insulator layers instead of conventional SiO2 gate oxide is currently widely studied. Zirconia with very large band gap (5-8 eV) and high dielectric constant (? ? 25) is one of the most important candidates for this purpose. In this study, Au/ZrO2/n-Si MIS structure was fabricated by deposition of ZrO2 thin film onto n-Si substrate and evaporating the Au metal onto thin film. Electrical and photoelectrical characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were analyzed using its current-voltage (I-V) measurements at room temperature in dark and under a solar simulator for various illumination intensities. In addition, capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were studied and the barrier heights obtained from both measurements were compared.
Metal insulator semiconductor (MIS) contacts are key components for many semiconductor devices. The usage of high dielectric constant (high-?) insulator layers instead of conventional SiO2 gate oxide is currently widely studied. Zirconia with very large band gap (5-8 eV) and high dielectric constant (? ? 25) is one of the most important candidates for this purpose. In this study, Au/ZrO2/n-Si MIS structure was fabricated by deposition of ZrO2 thin film onto n-Si substrate and evaporating the Au metal onto thin film. Electrical and photoelectrical characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were analyzed using its current-voltage (I-V) measurements at room temperature in dark and under a solar simulator for various illumination intensities. In addition, capacitance-voltage (C-V) characteristics of Au/ZrO2/n-Si MIS structure were studied and the barrier heights obtained from both measurements were compared.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Yoğun madde fiziği, Condensed matter physics, Metal yalıtkan yarıiletken (MIS), Metal insulator semiconductor (MIS)
