n-Si/metal kompleksi/Au yapıların aygıtsal özellikleri ve panaf metal kompleksinin optiksel özelliğinin araştırılması

Bu çalışmada Dicle Üniversitesi kimya bölümü tarafından sentezlenen Panaf ligandının[N,Nı-bis-(2-hidroksinaftalin-1-karbaldehiden)-1,2-bis-(p-aminofenoksi)etan)] bakır(II)kompleksi Au/n-Si/Cu-Panaf kompleksi/Au yapıda arayüzey olarak kullanıldı. Elde edilen yapının I-V ve C-V ölçümlerinden elektriksel özellikleri belirlendi. Bu ölçümlerden Au/n-Si/Cu-Panaf kompleksi/Au yapının ideal olmayan doğrultucu özellik gösterdiği tespit edildi. Bu yapının güneş simülatörü altında I-V ölçümleri alındı. Elde edilen verilerden aygıtın fotodiyot özellik gösterdiği anlaşıldı. Panaf bakır kompleksi Spin Coater ile kuvars üzerinde ince film haline getirildi. Hazırlanan ince filmlerin UV-VIS ölçümleri ile absorbsiyon ve geçirgenlik verileri dalga boyuna bağlı olarak elde edildi. Elde edilen veriler kullanılarak maddenin yasak enerji aralığı Eg = 4,5 eV olarak hesaplandı.

In this study the Cu(II) complex of Panaf ligand [ N,Nı-bis- (2-hidroxnaphthalin-1-carbaldehiydene)-1,2 bis-(p-aminophenoxy)ethane ], that was synthesized by department of chemistry of Dicle University, were used as interlayer in Au/n-Si/Cu-Panaf complex/Au structure. I-V, C-V characteristics of structure have been measured and electrical parameters of structure have been obtained. It is seen that Au/n-Si/Cu-Panaf complex/Au structure has non-ideal rectifying behaviors. I-V characteristic of structure has been measured under light. It is seen that the structure has photodiode behaviors. The Cu-Panaf complex has been coated on quartz as thin films. The films? UV-VIS measurements have been obtained and forbidden energy gap of it has been calculated as Eg = 4,5 eV