Yazar "Issa, Ali Ahmed" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim
    Öğe
    The influence of substrate temperature on electrical parameters of reactive sputtered Cr2O3/n-Si heterojunctions
    (2016) Issa, Ali Ahmed; Ocak, Yusuf Selim
    Bu çalışmada, alttaş sıcaklığının Cr2O3/n-Si heteroeklemler üzerine etkisini incelemek amaçlanmıştır. Bu amaçla, Cr2O3 ince filmleri 40, 150 and 250 °C alttaş sıcaklıklarında radio frekansı (RF) reaktif saçtırma yöntemi ile n-Si ve cam alttaşlar üzerine büyütülmüştür. Yüksek saflıktaki Cr metali hedef ve oksijen ise reaktif gaz olarak kullanılmıştır. Cr2O3 ince filmlerin optic özellikleri uv-vis verileri ile incelenmiştir. Cr2O3/n-Si heteroeklemlerin elektriksel özellikleri karanlıkta akımgerilim (I-V) ölçümleri ile incelenmiştir. 250 °C alttaş sıcaklığında büyütülen Cr2O3 ince filmleri ile oluşturulan Cr2O3/n-Si heteroeklemin mükemmel doğrultmaya sahip olduğu görülmüştür. Bu yapının idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel özellikleri I-V verileri ile hesaplanmıştır. Işık şiddetinin bu yapının fotovoltaik parametreleri üzerin etkiside incelenmiştir. Son olarak, kapasite gerilim ölçümleri ile elde edilen engel yüksekliği değeri I-V ile elde edilen değer ile karşılaştırıldı.
  • [ X ]
    Öğe
    Substrate temperature effects on reactively sputtered Cr2O3/n-Si heterojunctions
    (Iop Publishing Ltd, 2016) Ocak, Yusuf Selim; Issa, Ali Ahmed; Genisel, Mustafa Fatih; Tombak, Ahmet; Kilicoglu, Tahsin
    To see the effects of substrate temperature on Cr2O3/n-Si heterojunctions, Cr2O3 thin films were formed on n-Si and glass substrates at 40, 150 and 250 degrees C by radio frequency (RF) reactive sputtering technique. High purity Cr was used as target and oxygen was used as reactive gas. Optical properties of Cr2O3/n-Si thin films were analyzed using UV-vis data. The band gaps of the films were compared. The electrical properties of Cr2O3/n-Si heterojunction were tested by their current voltage (I-V) measurements in dark. It was observed that the heterojunction which was fabricated by forming Cr2O3 thin film at 250 degrees C gave better rectification. The characteristic electrical parameters such as barrier height, ideality factor and series resistance were calculated by using its I-V data. The influence of light intensity on photovoltaic effect behavior of the device was also calculated, finally the barrier height value of the structure obtained from capacitance-voltage (C-V) data were compared with the one calculated from I-V measurements.