Y:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorOcak, Yusuf Selim
dc.contributor.authorTokuş, Murat
dc.date.accessioned2016-03-22T12:10:02Z
dc.date.available2016-03-22T12:10:02Z
dc.date.issued2016
dc.date.submitted2015-06-16
dc.departmentDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu çalışmada (100) yönelimine sahip ve özdirenci 1-10 ?cm olan p-Si yarıiletkeni kullanıldı. Dönel kaplama metodu kullanılarak ittrium katkılı ve katkısız kadmiyum oksit'in p-Si üzerinde ince filmi hazırlandı. Alüminyum yüksek vakum ortamında, termal olarak buharlaştırıldı. Böylece Al/Y:CdO/p-Si yapısı oluşturuldu. Al/Y:CdO/p-Si yapılarının oda sıcaklığında ve karanlık ortamda akım gerilim (I-V) ölçümleri yapıldı. I-V grafiğinden bu yapının doğrultucu özellik gösterdiği görüldü. İdealite faktörü ve engel yüksekliği gibi diyot parametreleri, lnI-V grafiği kullanılarak belirlendi. İdealite faktörü Al/CdO/p-Si yapısı için 2,45 olarak hesaplanırken Al/Y:CdO/p-Si yapılarının idealite faktörünün 1,84 değerine kadar düştüğü başka bir ifadeyle diyotların ideal davranışa yaklaştığı görüldü. Y katkılı CdO aratabakanın engel yüksekliğini arttırdığı gözlendi. Norde fonksiyonları kullanılarak F(V)-V grafikleri çizildi. Bu grafikten seri direnç ve engel yükseklikleri hesaplandı. Ayrıca tüm diyotların 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında I-V ölçümleri yapıldı. Işık şiddeti arttıkça ters beslem akımının da arttığı gözlendi. Yapının fotodiyot özelliği gösterdiği anlaşıldı ve diyotun optoelektronik uygulamalarda kullanılabileceği gösterilmiş oldu. Anahtar Kelimeler: Schottky Diyot, Norde Fonksiyonları, İttrium,Kadmiyum Oksit,Katkılama
dc.description.abstractIn this study, p-Si semiconductor with (100) orientation and resistivity of 1-10 ?cm was used. Yttrium-doped and undoped cadmium oxide thin films were prepared on p-Si by using spin coating method. Aluminium was thermally evaporated in high vacuum environment. Therefore, Al/Y:CdO/p-Si structures were formed. Current-voltage (I-V) measurements of Al/Y:CdO/p-Si structures were performed in the dark at room temperature. It is noted that the the structures showed rectification feature from I-V graphics. Ideality factors and parameters such as diode barrier height were determined using lnI-V plot. Ideality factor for Al/CdO/p-Si structure was calculated as 2.45 and the ideality factor for Al/Y:CdO/p-Si structures have fallen to 1.84 value in other words diodes got closer to the ideal behavior. Y-doped CdO interlayer to increased barrier height. F(V) -V graphs were plotted using the modified Norde functions. From this plot, the series resistance and barrier height was calculated. In addition, I-V measurements of the Al/Y:CdO/p-Si were repeated under light which had intensity of 100 mW/cm2. It was observed that reverse bias current of the diode increased with the light intensity. Therefore, the structure showed fotodiode characteristic and it can be used in optoelectronic applications. Key Words: Schottky Diode, Norde Function, Yttrium, Cadmium Oksit, Doping
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11468/1767
dc.institutionauthorTokuş, Murat
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccessen_US
dc.subjectSchottky diyoten_US
dc.subjectSchottky diodeen_US
dc.subjectNorde fonksiyonlarıen_US
dc.subjectNorde functionen_US
dc.subjectİttriumen_US
dc.subjectYttriumen_US
dc.subjectKadmiyum oksiten_US
dc.subjectCadmium oksiten_US
dc.subjectKatkılamaen_US
dc.subjectDopingen_US
dc.titleY:CdO/p-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesien_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
YCdOp-Si heteroeklemin elektriksel ve fotoelektriksel özelliklerinin belirlenmesi.pdf
Boyut:
3.61 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tezler