Ag/ZnO/p-Si yapısının elektriksel karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorBozkaplan, Cihat
dc.date.accessioned2015-05-06T11:19:54Z
dc.date.available2015-05-06T11:19:54Z
dc.date.issued2015
dc.departmentDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractYarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır. Bu çalışmada p–Si üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve Ag metalinin ZnO/p–Si yapısı üzerine buharlaştırılması ile Ag/ZnO/p–Si heteroeklem diyotu elde edildi. Elde edilen yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında akım–gerilim (I–V) kapasite–gerilim (C–V) ve kapasite–frekans (C–f) ölçümleri ile incelendi. Engel yüksekliği, idealite faktörü, ve seri direnç gibi yapının elektriksel parametreleri akım–gerilim (I–V) ve kapasite–gerilim (C–V) ölçümlerinden belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan ZnO heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.
dc.description.abstractAs semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological. n this study, by forming a thin film of ZnO on p?Si and by evaporating Ag, metal on ZnO/p?Si structure, Ag/ZnO/p?Si heterojunction diode has been obtained. It is observed that structure exhibit a rectifying behavior. The electrical junction properties have been characterized by current?voltage (I?V), capacitance?voltage (C?V) and capacitance?frequency (C?f) methods at room temperature. The characteristic parameters of the structure such as barrier height, ideality factor and series resistance have been determined from the current?voltage and capacitance?voltage measurements. Obtained results have been compared with available results of ZnO heterjunction contacts in literature.
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11468/1073
dc.identifier.urihttp://kutup.dicle.edu.tr/ekitap/0045868.pdf
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/tezSorguSonucYeni.jsp
dc.institutionauthorBozkaplan, Cihat
dc.language.isotren_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccessen_US
dc.subjectEngel yüksekliğien_US
dc.subjectBarrier heighten_US
dc.subjectSchottky diyodlarıen_US
dc.subjectSchottky diodesen_US
dc.subjectSchottky eklemien_US
dc.subjectSchottky junctionen_US
dc.subjectSchottky engellerien_US
dc.subjectSchottky barriersen_US
dc.subjectSchottky kontaklarıen_US
dc.subjectSchottky contactsen_US
dc.subjectİdealite faktörüen_US
dc.subjectIdeality factoren_US
dc.subjectZnOen_US
dc.subjectHeteroeklemen_US
dc.subjectİdealite faktörüen_US
dc.subjectSeri dirençen_US
dc.titleAg/ZnO/p-Si yapısının elektriksel karakterizasyonuen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
AgZnOp-Si yapısının elektriksel karakterizasyonu.pdf
Boyut:
1.63 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tezler