Silisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorOcak, Yusuf Selim
dc.contributor.authorUzun, Nilüfer Uslu
dc.date.accessioned2020-04-15T14:13:32Z
dc.date.available2020-04-15T14:13:32Z
dc.date.issued2017
dc.date.submitted2017-12-15
dc.departmentDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalıen_US
dc.description.abstractBu tez çalışmasında Silisyum nanoteller Metal Yardımlı Kimyasal Aşındırma yöntemi kullanılarak elde edilmiştir. Aşındırma işleminin ardından termal ALD kullanılarak ZnO ince filmleri Si alttaş yüzeyi üzerine biriktirilmiş ve yapının gaz sensörü özellikleri incelenmiştir. Bu amaçla Si alttaş 0.02 M AgNO3 çözeltisi içine 5, 10, 30 ve 60 dakika aşındırma süreleriyle daldırılmıştır. SEM görüntüleri kullanılarak aşındırma süresi ile nanotelin uzunluğu arasında lineer bir ilişki olduğu belirlenmiştir. Farklı aşındırma sürelerinde farklı uzunlukları olan nanoteller elde edilmiştir. Yaklaşık 24 nm kalınlığında ZnO ince filmleri 200 ALD döngüsü kullanılarak biriktirilmiştir. İnce filmler biriktirildikten sonra ALD ve XRD grafikleri tekrardan görüntülenip incelenmiştir. Yapının özellikleri belirlenip değerlendirildikten sonra termal buharlaştırma cihazı kullanılarak maske yardımıyla Si nanotellerden oluşan yapı üzerine Al buharlaştırılarak nokta kontaklar elde edilmiştir. Gaz sensörü ölçümleri için elde edilen bu nokta kontaklar sonucu ölçümler gerçekleştirilmiştir. Sonuç olarak üretilen bu yapının yüksek yüzey alanına sahip olmasından ötürü gaz sensörü özelliği sergilediği bulgusu elde edilmiştir.
dc.description.abstractIn this work, Silicon nanowires were fabricated using metal assisted chemical etching method. After etching process ZnO thin films were deposited onto Si substrate via ALD and gas sensor properties of this structure were characterized. For this purpose Si substrates were deep into the 0.02 M AgNO3 solution and were kept in this solution for 5, 10, 30 and 60 minutes durations. The linear relation between etching duration and length of nanowire were determined by using SEM images. We determined Si nanowire structures with different length. 24 nm ZnO thin films were deposited onto Si nanowire structures 200 cycle by using ALD. SEM images and XRD graphics were examined after thin film deposited. After we were determined properties of structure, by using thermal evaporating device Al evaporated onto this structure via hole mask. For the measurements of gas sensor properties we were obtained point contact. As a result manufactured structure has a gas sensing properties because of its large surface volume ratio.
dc.description.sponsorshipDicle Üniversitesi Bilimsel Araştırma Projeleri Koordinatörlüğüen_US
dc.identifier.citationUzun, N. U. (2017). Silisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonu. Doktora tezi, Dicle Üniversitesi, Diyarbakır.en_US
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/11468/5271
dc.institutionauthorUzun, Nilüfer Uslu
dc.language.isotren_US
dc.publisherDicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsüen_US
dc.relation.dubapZGEF.15.008en_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/embargoedAccessen_US
dc.subjectSilisyum nanotelen_US
dc.subjectGaz sensörüen_US
dc.subjectMetal oksiten_US
dc.subjectAtomik katman biriktirmeen_US
dc.subjectSilicon nanowireen_US
dc.subjectGas sensoren_US
dc.subjectMetal oxideen_US
dc.subjectAtomic layer depositionen_US
dc.titleSilisyum nanoyapı tabanlı gaz sensörü üretimi ve karakterizasyonuen_US
dc.typeDoctoral Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
10177521.PDF.pdf
Boyut:
7.18 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
İndir
Lisans paketi
Listeleniyor 1 - 1 / 1
[ X ]
İsim:
license.txt
Boyut:
1.71 KB
Biçim:
Item-specific license agreed upon to submission
Açıklama:
İndir

Koleksiyon

Fen Bilimleri Enstitüsü Tezler