Yazar "Kaya, Derya" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 4 / 4
  • [ X ]
    Öğe
    The effect of Gd doping on the electrical and photoelectrical properties of Gd:ZnO/p-Si heterojunctions
    (Elsevier Science Sa, 2015) Baturay, Silan; Ocak, Yusuf Selim; Kaya, Derya
    Undoped ZnO thin films, as well as 1%, 3% and 5% Gd-doped ZnO films, were deposited on p-type Si using spin coating. The structural properties of these thin films were analysed using X-ray diffraction, and the current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of the Gd:ZnO/p-Si heterojunctions were compared with those of the undoped ZnO/p-Si heterojunctions. We found that Gd doping had a strong effect on the performance of the devices, and that the Gd:ZnO/p-Si heterojunctions formed with 1% Gd-doped ZnO were the most strongly rectifying, and had the highest barrier height and the lowest series resistance. Furthermore, the I-V measurements of the 1% Gd-doped ZnO/p-Si heterojunetion exhibited the strongest response to light. (C) 2015 Elsevier B.V. All rights reserved.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Farklı iyonlarla katkılandırılmış 4-aminobenzo-15-crown-5 taç eter türevinin sıcaklık ve konsantrasyona bağlı olarak T1 spin-örgü durulma zamanlarının ölçülmesi
    (2016) Kaya, Derya; Aşkın, Muzaffer
    Bu çalışmada, 400 MHz Avance Bruker Marka NMR spektrometresi kullanılarak; i) İlk adımda Aceton-d6 ortamında çözünmüş taç etere (4-aminobenzo-15-crown-5); sodyumperklorat (NaClO4) ve lityumperklorat (LiClO4) tuzları eklenmesiyle oluşan komplekslerin T1 durulma zamanları ölçüldü. Bu ölçümlerin değerlendirilmesinden hareketle, modifiye edilmiş Benesi- Hildebrand denklemi ve kimyasal kayma yöntemlerine göre ayrı ayrı Bağlanma sabitleri Ka hesaplandı. ii) İkinci adımda, Aceton-d6 ortamında çözünmüş sabit deriúimdeki (1,7x10-3M) taç eter çözeltisinin, sıcaklığa bağlı olarak, T1 spin-örgü durulma zamanları ölçüldü. T1 spin-örgü durulma zamanı değerlerinin, 1/T’ ye göre değLiiminin çizgisel olarak azaldığı gözlendi. Hem kimyasal kayma hem de T1 spin-örgü durulma zamanları (modifiye edilmiş Benesi-Hildebrand denkleminde kullanılan) yöntemleri ile elde edilen bağlanma sabitleri sonuçları karşılaştırıldığında; her iki ölçüm tekniği arasında anlamlı bir uyum olduğu ve özellikle T1 değerleri kullanÕlarak elde edilen sonuçlarının daha anlamlı olduğu gözlendi. Aynı zamanda bu sonuçlara bakıldığında, 4-aminobenzo-15-crown-5’in NaClO4 ile daha iyi kompleksleútiği gözlendi. Dolayısıyla NaClO4 iyonunun LiClO4 iyonuna göre 4-aminobenzo-15- crown-5 eter kavitesine daha uygun olduğunu göstermektedir. Ayrıca lnT1’in 1/T’ye göre grafiksel değerlendirmesinden hareketle, Ea aktivasyon enerjileri ve c W ve o W ilgi zamanları hesaplandı. Gerek bu parametrelerle ilgili olarak elde edilen sonuçlar ve gerekse de T1 relaksasyon zamanlarının 1/T’ye göre çizgisel olarak azalmasından yola çıkılarak, bu mekanizmanın molekülün rotasyonal hareketinden ileri geldiği söylenebilir. Anahtar Kelimeler: NMR, Taç Eterler, Kimyasal Kayma, T1 Durulma Zamanı
  • [ X ]
    Öğe
    Modification of electrical and optical properties of CuO thin films by Ni doping
    (Springer, 2016) Baturay, Silan; Tombak, Ahmet; Kaya, Derya; Ocak, Yusuf Selim; Tokus, Murat; Aydemir, Murat; Kilicoglu, Tahsin
    Undoped and Ni-doped CuO thin films were deposited onto glass substrates using a spin-coating technique at different doping concentrations (undoped, 2, 4, 6, and 10 %). X-ray diffraction patterns for undoped and Ni-doped CuO thin films indicated that the films were polycrystalline, with preferential growth in the (002), (111), and (-311) directions. Atomic force microscopy images revealed that the surface morphologies of the films were not uniform. Scanning electron microscopy images confirmed the presence of agglomerated particles on the surfaces; the coverage increased with the doping level. A Hall effect system with a van der Pauw configuration was used to investigate the electrical properties of the CuO films. The free charge carrier concentration decreased and hole mobility increased with increasing Ni concentration, with the exception of the 10 % Ni-doped CuO sample. Ultraviolet-visible spectroscopy measurements of the film samples indicated an average transmittance of 30-40 % in the visible range. The optical band gap decreased slightly for low-level doping and increased from 2.03 to 2.22 eV for 10 % Ni incorporation. The electrical and optical properties of the CuO films were modified by Ni doping, i.e. the band gap decreased and the mobility increased almost linearly, with the exception of the 10 % Ni-doped sample. SEM images of a undoped b 2 % c 4 % d 6 %, and e 10 % Ni-doped CuO thin films. [GRAPHICS]
  • [ X ]
    Öğe
    Reactively Sputtered Cu2ZnTiS4 Thin Film as Low-Cost Earth-Abundant Absorber
    (Springer, 2017) Adiguzel, Seniha; Kaya, Derya; Genisel, Mustafa Fatih; Celik, Omer; Tombak, Ahmet; Ocak, Yusuf Selim; Turan, Rasit
    Cu2ZnTiS4 thin films have been deposited on glass by the reactive cosputtering technique with high-purity ZnS and Cu and Ti metals as targets and H2S as reactive gas. Cu2ZnTiS4 thin films were obtained at various temperatures and H2S flows and were annealed in H2S atmosphere. The structural, morphological, and optical properties of the Cu2ZnTiS4 thin films were examined by scanning electron microscopy, energy-dispersive spectroscopy, x-ray diffraction (XRD) analysis, and ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopy. Agglomeration was found to increase with increasing temperature. The XRD peaks of the Cu2ZnTiS4 thin films were consistent with those of Cu2ZnSnS4. Furthermore, the optical bandgaps of the Cu2ZnTiS4 films were lower than those of conventional Cu2ZnSnS4 thin films.