Yazar "Bozkaplan, Cihat" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 5 / 5
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Ag/ZnO/p-Si yapısının elektriksel karakterizasyonu(2015) Bozkaplan, CihatYarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır. Bu çalışmada p–Si üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve Ag metalinin ZnO/p–Si yapısı üzerine buharlaştırılması ile Ag/ZnO/p–Si heteroeklem diyotu elde edildi. Elde edilen yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında akım–gerilim (I–V) kapasite–gerilim (C–V) ve kapasite–frekans (C–f) ölçümleri ile incelendi. Engel yüksekliği, idealite faktörü, ve seri direnç gibi yapının elektriksel parametreleri akım–gerilim (I–V) ve kapasite–gerilim (C–V) ölçümlerinden belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan ZnO heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.Öğe Electrical properties of an Ag/ZnS/p–Si heterojunction obtained by sputtered ZnS thin film(Elsevier, 2021) Bozkaplan, Cihat; Ocak, Yusuf Selim; Akkılıç, KemalZnS thin films were deposited on both soda-lime glass and p-Si substrates by radio frequency (RF) sputtering of a single ZnS target. The morphological, structural, and optical properties of the films were analyzed. It was seen that the thin films had (111) and (200) orientations of ZnS structure. The particle size distribution of the SEM image showed that the ZnS thin film had a 44.00 +/- 0.56 nm average particle size. The optical band gap of ZnS thin films was calculated as 3.7 eV using UV-vis data. The electrical and photoelectrical properties of an Ag/ZnS/ p-Si heterojunction were analyzed using current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) measurements. The results showed that the device had 0.694 eV barrier height and 449 omega series resistance values. In addition, the photodiode of the device was analyzed by I-V measurements under a solar simulator with AM1.5 global filter. Finally, the barrier height value obtained from C-V measurements was compatible with the I-V method.p>
Öğe The influence of substrate temperature on RF sputtered CdS thin films and CdS/p-Si heterojunctions(Elsevier Sci Ltd, 2017) Bozkaplan, Cihat; Tombak, Ahmet; Genisel, Mustafa Fatih; Ocak, Yusuf Selim; Akkilic, KemalCadmium sulfide (CdS) thin films were deposited onto soda lime glasses and p-Si semiconductors at various substrate temperatures (40, 150 and 275 degrees C) by radio frequency (RF) sputtering technique. The effect of substrate temperature on morphological, structural and optical properties of CdS thin films were analyzed by means of atomic force microscopy (AFM), x-ray diffraction (XRD) and uv-vis spectrum data. The results showed that the average roughness (R-a) of thin films increased from 2.0 to 4.0 nm and all films had hexagonal wurtzite structure. The optical band gaps of CdS thin films varied between 2.46-2.43 eV. Characteristic parameters of CdS/p-Si heterojunctions including ideality factor, barrier height, series resistance and rectification ratio were measured. It was seen that both ideality factor and barrier height values of the heterojunctions increase with the increase substrate temperature. It was attributed to increase in inhomogenity of the thin films. Furthermore, the photoelectrical parameters of CdS/p-Si heterojunctions were studied.Öğe RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerin karakterizasyonu ve heteroeklem üretiminde kullanılması(2016) Bozkaplan, Cihat; Akkılıç, KemalII–VI grubu bileşiklerinden CdS ve ZnS oda sıcaklığında geniş ve doğrudan bant aralığına sahip olmasından dolayı güneş pilleri, optik sensörler ve kızılötesi pencereler gibi optoelektronik uygulamalarda oldukça önemli bir yer bulmaktadır. Bu çalışmada RF saçtırma yöntemi ile biriktirilen CdS ve ZnS ince filmlerinin yüzey ve optik özelliklerine alttaş sıcaklığının etkisi incelendi. Yüksek saflıkta CdS ve ZnS hedefler kullanılarak 40, 150 ve 275 oC alttaş sıcaklıklarında p–Si ve cam üzerine CdS ve ZnS ince filmleri oluşturuldu. Elde edilen filmlerin yüzey özellikleri AFM ve SEM yöntemleri ile araştırıldı. Ayrıca optik özellikleri de UV–Vis ölçümleri ile belirlendi. Alttaş sıcaklığının ince filmlerin fiziksel yapısı üzerine etkisi açık bir şekilde gözlendi. Ag/CdS/p–Si ve Ag/ZnS/p–Si heteroeklem diyotları termal buharlaştırma yoluyla elde edildi. Yapıların karanlıkta ve güneş simülatörü altında alınan I–V ölçümleri ile elektriksel ve fotoelektriksel özellikleri araştırıldı. Üretilen heteroeklemlerin iyi doğrultucu kontak davranışı gösterdiği gözlendi. I–V ve C–V eğrilerinden idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç gibi elektriksel parametreler hesaplandı. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan CdS ve ZnS heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı. Anahtar Kelimeler: CdS, ZnS, SEM, AFM, heteroeklem, engel yüksekliği, idealite faktörü ve seri dirençÖğe Temperature dependent electrical characterization of RF sputtered MoS2/n-Si heterojunction(Elsevier Gmbh, 2017) Ocak, Yusuf Selim; Bozkaplan, Cihat; Ahmed, Honar Salah; Tombak, Ahmet; Genisel, Mustafa Fatih; Asubay, SezaiMoS2 is one of the most promising materials due to its exciting properties. Al/MoS2/n-Si heterojunction diode was acquired via the formation of a MoS2 thin film on n-Si semiconductor using radio frequency (RF) sputtering technique and an evaporation of Al metal on MoS2/n-Si structure. The morphological and optical properties of the RF sputtered MoS2 thin film were examined using atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM) and UV-vis data. The electrical parameters of Al/MoS2/n-Si heterojunction on temperature were investigated using its current-voltage (I-V) measurements within 150-400 K in the dark. The results showed that while the ideality factor and series resistance values of the junction decreased, the barrier height values increased with the increase in temperature. The linear correlation between ideality factor and barrier height values was also reported for Al/MoS2/n-Si heterojunction. (C) 2017 Elsevier GmbH. All rights reserved.
