Arşiv logosu
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
Arşiv logosu
  • Koleksiyonlar
  • Sistem İçeriği
  • Analiz
  • Talep/Soru
  • Türkçe
  • English
  • Giriş
    Yeni kullanıcı mısınız? Kayıt için tıklayın. Şifrenizi mi unuttunuz?
  1. Ana Sayfa
  2. Yazara Göre Listele

Yazar "Mokhtari H." seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 1 / 1
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
  • [ X ]
    Öğe
    AC impedance analysis of the Al/ZnO/p-Si/Al schottky diode: C-V plots and extraction of parameters
    (Sumy State University, 2015) Benhaliliba M.; Ocak Y.S.; Mokhtari H.; Kiliçoglu T.
    In this research, we report on the measurement of the capacitance-voltage (C-V) characteristics Al / ZnO / p-Si / Al Schottky diode at room temperature and in dark condition fabricated by spray pyrolysis process. C-V characteristics, within the range of frequencies 5 kHz-5 MHz, are investigated and microelectronic parameters are extracted. Donor density and diffusion potential vary with frequency from 15 to 28 1014 cm - 3, 0.21 to 0.45 V. Besides, the interface state density of Al /ZnO /pSi/Al Schottky is determined and found to be 1012 (eV·cm2)-1. Calculated at 1 MHz, the interfacial layer thickness and depletion layer width are of 760 Å and 0.28 ?m. © 2015 Sumy State University.

| Dicle Üniversitesi | Kütüphane | Açık Erişim Politikası | Rehber | OAI-PMH |

Bu site Creative Commons Alıntı-Gayri Ticari-Türetilemez 4.0 Uluslararası Lisansı ile korunmaktadır.


Dicle Üniversitesi, Diyarbakır, TÜRKİYE
İçerikte herhangi bir hata görürseniz lütfen bize bildirin

Powered by İdeal DSpace

DSpace yazılımı telif hakkı © 2002-2025 LYRASIS

  • Çerez Ayarları
  • Gizlilik Politikası
  • Son Kullanıcı Sözleşmesi
  • Geri Bildirim