Yazar "Çelik, Ömer" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 5 / 5
  • Küçük Resim
    Öğe
    1-(4-Fluorobenzyl)-2-(pyridin-2-yl)-1H-benzimidazole
    (International Union of Crystallography, 2014) Çelik, Ömer; Gündoğan, Mustafa; Anğay, Fırat; Ulusoy, Mahmut
    In the title compound, C19H14FN3, the dihedral angles between the benzimidazole unit (r.m.s. deviation= 0.017 A˚ ) and the pyridine and benzene rings are 24.46 (4) and 81.87 (3), respectively. In the crystal, molecules are stacked along the a-axis direction by C—H interactions.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Değişik gerilim uygulayarak elde edilen Si/anodik oksit/Al yapılarının arayüzey durum yoğunluklarının araştırılması çalışmaları
    (Dicle Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, 1998) Çelik, Ömer; Kılıçoğlu, Tahsin
    Bu çalışmada, (100) yönlü p-tipi ve özdirenci 14-26 Q.cm olan silisyum tek kristali kullanıldı. Bu kristalden dört örnek (a,b,c,d) hazırlandı. Kristallerin parlatılmış yüzü sabit gerilim koşulları altında anodik oksidasyon yöntemi ile oksitlendi. Anodik oksidasyon işleminde 1:1 hacimde sulandırılmış sodyum dihidrojen ortofosfat (NaHaPCU.2H2O) ile dietilen glikol (C4H10O3) karışımından elde edilen çözelti kullanıldı. Anodik oksidasyon işlemi sırasında ampermetre yardımıyla 30 saniyede bir yarıiletken üzerinden geçen akım değeri okundu. Akım- Zaman grafikleri çizildi. Oksitlemiş örnekler vakum sistemi ve buharlaştırma odası kullanılarak yaklaşık 10-5 mbar'lık basınç koşulu altında alüminyum kaplandı. İmal edilen Al/anodik oksit/p-Si yapılarının oda sıcaklığında kapasite- gerilim değerleri ölçüldü ve ilgili grafikler çizildi, d örneğini 300°C'de 5 dakika tavlanmaya bırakıldı. Tavlanmış örneğin kapasite-gerilim değerleri ölçülerek ilgili grafiği çizildi. İdeal kapasite-gerilim eğrileri herbir örnek için çizildi ve deneysel eğri ile karşılaştırıldı. Bu iki eğri arasındaki sapmadan yararlanarak arayüzey durumları incelendi. Düz bantta kapasite- gerilim eğrisinin ideal kapasite-gerilim eğrisinden gerilim kayması (AVfb), kapasite-gerilim eğrisinde ideal kapasite-gerilim eğrisinden bant ortası kayması (AVmg) ve düz banttaki histeresisin gerilimII genişliği (AVhisfb) hesaplandı. Ayrıca oksit Kalınlığı (dox), oksit yük yoğunluğu (AQ0X), arayüzey yük yoğunluğu (AQss), toplam etkin yük yoğunluğu (AQeff) ve histeresisin düz banttaki yük yoğunluğu (AQhisfb) hesaplandı. Sonuç olarak a,b,d ve ışıl işlemli d örneklerinden elde edilen Al / anodik oksit/p-Si yapıları, iyonik histeresiz gösterirken c örneği elektronik histeresiz göstermiştir.
  • Küçük Resim
    Öğe
    The influence of Ge substitution and H2S annealing on Cu2ZnSnS4 thin films
    (Elsevier, 2021) Ava, Canan Aytuğ; Ocak, Yusuf Selim; Asubay, Sezai; Çelik, Ömer
    Cu2Zn(Sn1-xGex)S-4 thin films (where x = 0, 0.25, 0.50, 0.75, and 1) were deposited by spin coating technique and annealed under 30 and 40 ccm H2S:Ar (1:9) flows to understand the influence of Ge atom content ratio and H2S flow rate during the annealing of thin films on morphological, structural and optical properties of Cu2Zn(Sn1- x Ge-x)S-4 thin films. It was seen that the Ge content has a strong influence on the structural and optical properties of the films. The crystal size of the films decreased sharply for Cu2Zn(Sn0.75Ge0.25)S-4 thin film and started to increase slowly owing to the formation of high dislocation density and strain in the structures. The Raman spectra show the formation of kesterite thin films and blue Raman shift with Ge substitution to the content. The films obtained under 40 ccm H2S:Ar (1:9) flows have weak secondary peaks associated with ZnS formation. The UV-Vis data showed the increase of optical bandgap from 1.52 to 2.05 eV with a rise in Ge ratio in the structures.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Physicochemical characterization and the comparison of chitin and chitin modified with maleic anhydride
    (Oriental Scientific Publishing Company, 2015) Uzun, İlhan; Çelik, Ömer
    Firstly, chitin was modified via ring-opening reaction with maleic anhydride in lithium chloride/ N,N-dimethylacetamide. Then, both chitin and chitin modified with maleic anhydride (CMA) were characterized by Fourier transform infrared (FTIR) spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) method, ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopy, and scanning electron microscopy (SEM). Thermogravimetric analysis (TGA) was performed to investigate the thermal stability of chitin and CMA. TGA results showed that chitin is thermally more stable than CMA. In addition, the electrical conductivity of chitin and CMA was also measured. Electrical conductivity measurement results showed that the electrical conductivity of CMA (4.3x10-4 S cm-1) is more than that of chitin (6.5 x 10-6 S cm-1).
  • Küçük Resim
    Öğe
    Sb doping influence on structural properties of ZnO thin films
    (Institute of Physics Publishing, 2020) Çelik, Ömer; Baturay, Şilan; Ocak, Yusuf Selim
    Pure and Sb doped ZnO thin films were homogeneously prepared at room temperature on the soda-lime glass substrates (SLG) via the spin coating technique. The effects of the Sb ratio on structural properties, morphological properties and optical properties were studied via x-ray diffraction (XRD) device, scanning electron microscopy (SEM), and ultraviolet-visible (UV-vis) spectrometry, respectively. Crystalline size (D), the (hkl) planes, and dislocation density (δ) for ZnO thin films were investigated via the XRD pattern. The influence of Sb doping on the preferred crystal orientation and lattice parameters of ZnO thin films were discussed in detail. Optical measurements of ZnO thin films with 0, 1, 2 and 3% Sb concentrations showed a significant effect as a function of Sb dopants on the optical energy band gap. All of the SEM images indicated that while pure ZnO thin films had an apparent nanofiber structure, nanofiber structures disappeared with the increase of doping ratio, and more homogeneous films were obtained.