Ag/ZnO/p-Si yapısının elektriksel karakterizasyonu

Abstract

Yarıiletken ZnO ince filmler elektriksel iletkenliği ve optik geçirgenliği yüksek malzeme olmalarından dolayı teknolojik açıdan pek çok yerde kullanılırlar. Bu sebepten malzemenin üretimi ve teknik açıdan kullanılabilirliğinin ölçümü önem kazanmaktadır. Bu çalışmada p–Si üzerine ZnO ince filminin oluşturulması ve Ag metalinin ZnO/p–Si yapısı üzerine buharlaştırılması ile Ag/ZnO/p–Si heteroeklem diyotu elde edildi. Elde edilen yapının doğrultucu kontak özelliği gösterdiği gözlemlendi. Diyotun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında akım–gerilim (I–V) kapasite–gerilim (C–V) ve kapasite–frekans (C–f) ölçümleri ile incelendi. Engel yüksekliği, idealite faktörü, ve seri direnç gibi yapının elektriksel parametreleri akım–gerilim (I–V) ve kapasite–gerilim (C–V) ölçümlerinden belirlendi. Elde edilen sonuçlar literatürde mevcut bulunan ZnO heteroeklem kontaklarla karşılaştırıldı.

As semiconductor ZnO thin films have high electrical conductivity and optical permeability materials used in most position respect of technological. Because of this considers producting of the material and measuring of using respect of technological. n this study, by forming a thin film of ZnO on p?Si and by evaporating Ag, metal on ZnO/p?Si structure, Ag/ZnO/p?Si heterojunction diode has been obtained. It is observed that structure exhibit a rectifying behavior. The electrical junction properties have been characterized by current?voltage (I?V), capacitance?voltage (C?V) and capacitance?frequency (C?f) methods at room temperature. The characteristic parameters of the structure such as barrier height, ideality factor and series resistance have been determined from the current?voltage and capacitance?voltage measurements. Obtained results have been compared with available results of ZnO heterjunction contacts in literature.